Mario Carpentieri e Andrea Meo del Politecnico di Bari figurano tra gli autori dello studio internazionale che apre la strada a memorie più compatte e alla futura scrittura dei dati ad altissime frequenze,terahertz
Bari, 4 novembre 2026 – Conservare più informazioni in uno spazio sempre più piccolo e accedervi più rapidamente, è una delle sfide che accompagnano l’evoluzione di smartphone, computer e grandi centri di calcolo.
Una ricerca pubblicata sull’autorevole rivista scientifica, “Nature” il 29 ottobre scorso, dimostra un nuovo meccanismo fisico che potrebbe aiutare a sviluppare le memorie magnetiche di domani molto più performanti. La ricerca si chiama, “Octupole-driven spin torque switching of antiferromagnetic tunnel junctions” e tra gli autori figurano due ricercatori, del Politecnico di Bari: sono i proff. Mario Carpentieri e Andrea Meo del Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell’Informazione.
Per capire l’importanza del risultato, si può immaginare una memoria come un insieme di minuscoli interruttori, ciascuno può rappresentare uno “zero” oppure un “uno” (sistema binario). Sono i due elementi con cui i dispositivi digitali conservano ogni informazione: dalle fotografie ai messaggi. La sfida è rendere questi interruttori sempre più piccoli, mantenendo la possibilità di cambiarne lo stato e riconoscerlo con precisione.
Lo studio compie un passo in questa direzione utilizzando materiali chiamati antiferromagnetici. Questi materiali offrono prospettive di funzionamento molto rapido e di maggiore resistenza ai disturbi prodotti dai campi magnetici esterni.
I ricercatori hanno dimostrato che una corrente elettrica può modificare lo stato magnetico di dispositivi nanometrici realizzati con questi materiali, senza applicare un campo magnetico esterno. L’articolo mette in evidenza un nuovo meccanismo che permette di passare da uno stato all’altro e di distinguerli attraverso una misura della resistenza elettrica, a temperatura ambiente.
La prospettiva più ambiziosa è aprire la strada alla scrittura dell’informazione a frequenze di terahertz (THz), sfruttando le dinamiche ultraveloci dei materiali antiferromagnetici. Il controllo elettrico dimostrato nello studio rappresenta un passo verso questo obiettivo, che potrebbe cambiare radicalmente la velocità delle future memorie.
Il contributo del Politecnico di Bari riguarda la comprensione del fenomeno attraverso le simulazioni micromagnetiche. Mario Carpentieri e Andrea Meo, , insieme a Giovanni Finocchio dell’Università di Messina, hanno sviluppato il codice di simulazione e riprodotto il comportamento magnetico dei dispositivi. Questo lavoro ha permesso di collegare il nuovo meccanismo ai risultati osservati negli esperimenti.
L’attività è stata sostenuta dall’Agenzia Spaziale Italiana. Allo studio hanno partecipato oltre al Poliba: Northwestern University Chicago, University of Nebraska, Cornell University, Purdue University, Texas University, Western Digital, azienda attiva nelle tecnologie per l’archiviazione dei dati.